半导体芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体芯片，其包括MOS晶体管、第一氧化物保护电路和第二氧化物保护电路。第一氧化物保护电路的第一端耦接MOS晶体管的栅极端，第二端用以接收第一地电压，其中第一地电压的噪声电平低于半导体芯片中定义的第二地电压的噪声电平。第二氧化物保护电路的第一端耦接MOS晶体管的栅极端，第二端用以接收第一电源电压，其中第一电源电压的噪声电平低于半导体芯片中定义的第二电源电压的噪声电平。本发明中通过氧化物保护电路，可以使得MOS晶体管的栅极电压过高或过低时或者MOM电容器的极板电压过高或过低，保护MOS晶体管或MOM电容器。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114499138A
申请号 ：
CN202111231675.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈品文
申请人 ：
联发科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学园区笃行一路一号
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
李江
优先权 ：
CN202111231675.3
主分类号 ：
H02M1/32
IPC分类号 ：
H02M1/32 H02H7/20 H01L27/02
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/32
申请日 : 20211022
申请日 : 20211022
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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