功率半导体器件及芯片
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种功率半导体器件及芯片。该功率半导体器件包括：半导体基板；多个间隔设置的场限环，其中最内侧的场限环定义出元件区；每个场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及自沟槽侧部和底部向半导体基板内延伸的掺杂区，且相邻场限环的掺杂区接触或交叠；其中，内侧场限环的掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离不大于外侧场限环的掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离；多个场限环中，至少两个场限环的掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离不同。本实用新型实施例提供的功率半导体器件可提高器件的耐压并降低器件的漏电。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123026017.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216250738U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
常东旭李静怡周源王超朱林迪王振达梁维佳胡磊杨棂鑫邢岳
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京科慧致远知识产权代理有限公司
代理人 ：
王乾旭
优先权 ：
CN202123026017.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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