半导体芯片

专利权的终止

PDF下载

摘要

一种半导体芯片，包括：半导体衬底；以及层叠膜，其形成在所述半导体衬底上，包括含碳绝缘膜，所述含碳绝缘膜在端部的碳组分比在内部的碳组分低。

基本信息

专利标题：

半导体芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101276803A

申请号：

CN200810092154.2

公开（公告）日：

2008-10-01

申请日：

2006-03-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

大音光市宇佐美达矢

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

关兆辉

优先权：

CN200810092154.2

主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L23/532

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/532

按材料特点进行区分的

法律状态

2015-05-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101609140737
IPC(主分类) : H01L 23/532
专利号 : ZL2008100921542
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20101201
终止日期 : 20140320

2010-12-01 ：

授权

2008-11-26 ：

实质审查的生效

2008-10-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN101276803A.PDF

PDF下载

2、

CN101276803B.PDF

PDF下载