半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备

授权

摘要

本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

基本信息

专利标题：

半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107534014A

申请号：

CN201680023993.1

公开（公告）日：

2018-01-02

申请日：

2016-05-06

授权号：

CN107534014B

授权日：

2022-04-12

发明人：

羽根田雅希

申请人：

索尼公司

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人：

王新春

优先权：

CN201680023993.1

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768 H01L21/3205 H01L23/522 H01L23/532 H01L27/14 H04N5/369

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/768

利用互连在器件中的分离元件间传输电流

法律状态

2022-04-12 ：

授权

2018-05-25 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20160506

2018-01-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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