固态成像器件及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明的一个目标是提供可以增加光电二极管中信号电荷累积的数量的固态成像器件及其制造方法。根据本发明的固态成像器件包括：形成于p型半导体基底之上的栅电极；n型信号累积区，累积通过光电转换获得的信号电荷，且其形成于半导体基底中，使信号累积区的一部分位于栅电极之下；n型漏区，位于半导体基底中，使n型漏区穿过上述栅电极与信号累积区相对；以及p型穿通阻止区，具有高于半导体基底的杂质浓度，并形成于半导体基底中，使p型穿通阻止区位于漏区之下，其中穿通阻止区的末端比漏区的末端更接近信号累积区。

基本信息

专利标题：

固态成像器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1808721A

申请号：

CN200610005787.6

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2006-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

田中晶二宫川良平古贺一成平田达也长崎博记

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

优先权：

CN200610005787.6

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H01L29/78 H01L21/822 H01L21/336