固态成像器件及制造其的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法,所述固态成像器件包括:多个像素,二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中,每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分;元件隔离层,其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上,且其将各个像素彼此电隔离;和扩散层,其设置在所述元件隔离层下面,以围绕各个电荷聚集区,且将各个像素彼此电隔离,所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
基本信息
专利标题 :
固态成像器件及制造其的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101728409A
申请号 :
CN200910209101.9
公开(公告)日 :
2010-06-09
申请日 :
2006-01-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田谷圭司阿部秀司大桥正典正垣敦山本敦彦古川雅一
申请人 :
索尼株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
马高平
优先权 :
CN200910209101.9
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146 H01L21/82
相关图片
法律状态
2017-02-22 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101747221174
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2009102091019
登记生效日 : 20170204
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 索尼半导体解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川厚木市朝日町4-14-1
号牌文件序号 : 101747221174
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2009102091019
登记生效日 : 20170204
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 索尼半导体解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川厚木市朝日町4-14-1
2013-05-15 :
授权
2010-08-11 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101004499188
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2009102091019
申请日 : 20060105
号牌文件序号 : 101004499188
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2009102091019
申请日 : 20060105
2010-06-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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