固态成像装置及其制造方法
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摘要
本发明揭示了一种固态成像装置及其制造方法。将光电转换器二维设置在半导体衬底中。在该半导体衬底和光电转换器上依次形成平坦化层、遮光膜、另一平坦化层和聚光透镜。该遮光膜在对应于光电转换器的位置具有孔。在这些孔中设置能透射光的红色、绿色或蓝色波长成分的多层干涉滤光片。
基本信息
专利标题 ：
固态成像装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101369556A
申请号 ：
CN200810145904.8
公开（公告）日 ：
2009-02-18
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
笠野真弘稻叶雄一山口琢己
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
臧霁晨
优先权 ：
CN200810145904.8
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/146 G02B5/20 G02B5/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2010-11-03 ：
授权
2009-04-15 ：
实质审查的生效
2009-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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