固态成像装置及其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
一种固态成像装置包括具有光电检测器部分(15)的半导体衬底(1)。光电检测器部分(15)包括形成在半导体衬底(1)中的p型第一杂质区(表面反型层)(6)和形成在表面反型层(6)下面的n型第二杂质区(光电转换区)(4)。通过将n型杂质引入到半导体衬底(1)中形成光电转换区(4)。通过将铟引入到形成光电转换区(4)的半导体衬底(1)的区域中形成表面反型层(6)。
基本信息
专利标题 ：
固态成像装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812114A
申请号 ：
CN200510134139.6
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木政胜
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200510134139.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/0288 H01L21/822 H01L31/18
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法律状态
2010-02-10 ：
专利权的视为放弃
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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