制造固态成像器件的方法和固态成像器件及照相机
专利权的终止
摘要
本发明提供了用于制造能改进在光接收单元中的感光度特性的固态成像器件的方法、感光度特性改进了的固态成像器件和设置有该固态成像器件的照相机。在形成有光接收单元的衬底上形成围绕所述光接收单元突出的屏蔽膜；透明绝缘膜形成在所述屏蔽膜上；通过所述绝缘膜的回蚀，在所述屏蔽膜的侧壁中形成侧壁绝缘膜；在所述屏蔽膜上形成在相应于所述光接收单元位置具有孔的掩模层；且通过采用侧壁绝缘膜和掩模层作为掩模来蚀刻所述屏蔽膜以形成暴露所述光接收单元的孔部分。
基本信息
专利标题 ：
制造固态成像器件的方法和固态成像器件及照相机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819147A
申请号 ：
CN200610006005.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫本宏之堂福忠幸
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006005.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/146 H01L27/148 H04N5/335
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2022-01-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/82
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20210123
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20210123
2017-02-22 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101747222014
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100060050
登记生效日 : 20170204
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 索尼半导体解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川厚木市朝日町4-14-1
号牌文件序号 : 101747222014
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100060050
登记生效日 : 20170204
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 索尼半导体解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川厚木市朝日町4-14-1
2008-11-26 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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