半导体装置
公开
摘要
本发明公开了半导体结构。示例性的半导体结构的制造方法包括接收集成电路布局，集成电路布局具有多个金属部件在金属层中。上述制造方法也包括基于尺寸准则，将金属部件分类为第一类型金属部件和第二类型金属部件，第一类型金属部件的尺寸大于第二类型金属部件的尺寸。上述制造方法还包括指定第一金属材料给第一类型金属部件，指定第二金属材料给第二类型金属部件，第二金属材料不同于第一金属材料。上述制造方法额外包括形成金属部件，嵌入于介电层内，每个金属部件具有各别指定的金属材料。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284238A
申请号 ：
CN202110900149.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
骆冠宇杨士亿李明翰眭晓林
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110900149.5
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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