半导体装置以及半导体电路
实质审查的生效
摘要
实施方式提供降低了关断损失的半导体装置以及半导体电路。半导体装置具备：第一及第二电极；第一及第二栅极电极；及半导体层，具有第一导电型的第一半导体区域、第一半导体区域与第一面之间的与第一栅极电极对置的第二导电型的第二半导体区域、第二半导体区域与第一面之间的与第一电极相接的第一导电型的第三半导体区域、第一半导体区域与第二面之间的与第二栅极电极对置并与第二电极相接的第二导电型的第四半导体区域、第四半导体区域与第二面之间的与第二电极相接的第一导电型的第五半导体区域，包含第一栅极电极的第一晶体管具有第一阈值电压，包含第二栅极电极的第二晶体管具有与第一阈值电压相比正负符号相同且绝对值不同的第二阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267732A
申请号 ：
CN202110833904.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-07-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
末代知子岩鍜治阳子系数裕子
申请人 ：
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
徐殿军
优先权 ：
CN202110833904.2
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20210723
申请日 : 20210723
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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