半导体电路
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体电路，包括高压集成电路和三相逆变桥，高压集成电路包括PWM信号缓存模块、高压驱动模块、低压驱动模块和自举模块，PWM信号缓存模块电连接高压驱动模块和低压驱动模块；自举模块具有三路信号输入端和三路高侧浮动供电输出端，三路信号输入端对应电连接PWM信号缓存模块的三个电平输出端，三路高侧浮动供电输出端分别对应给三相逆变桥的三个上桥臂供电；高压驱动模块的三路高压驱动输出端分别驱动三相逆变桥的三个上桥臂，低压驱动模块的三路低压驱动输出端分别驱动三相逆变桥的三个下桥臂。本实用新型技术方案解决了自举电压不稳定，容易造成供电不足或电路失效的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122386506.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216216581U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
冯宇翔张土明潘志坚谢荣才左安超
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一（住所申报）
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN202122386506.9
主分类号 ：
H02M7/48
IPC分类号 ：
H02M7/48 H02M1/084 H02M1/088
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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