半导体电路
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体电路，包括电路基板和设于电路基板上的驱动芯片、三相逆变桥和过压检测单元，驱动芯片分别与三相逆变桥和过压检测单元电连接，过压检测单元包括电压基准芯片、第一电阻和第二电阻；电压基准芯片包括参考极、阳极和阴极，电压基准芯片的阳极与驱动芯片的VSS引脚电连接，电压基准芯片的阴极与驱动芯片的FAULT引脚电连接；第一电阻的一端与驱动芯片的VDD引脚电连接，第一电阻的另一端与电压基准芯片的参考极电连接，第二电阻的一端与电压基准芯片的参考极电连接，第二电阻的另一端与驱动芯片的VSS引脚电连接。本实用新型所提出的半导体电路具有过压检测单元，可对驱动芯片进行过压保护，可延长其使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122389697.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216216822U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
冯宇翔左安超潘志坚张土明谢荣才
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一（住所申报）
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN202122389697.4
主分类号 ：
H03K17/567
IPC分类号 ：
H03K17/567
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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