半导体电路
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体电路，该半导体电路包括电路基板、金属衬底和功率器件芯片，所述金属衬底设于所述电路基板上并呈凸台状，所述功率器件设于所述金属衬底上，所述金属衬底用于辅助所述功率器件散热。本实用新型所提出的半导体电路，其将金属衬底设置成凸台状，也即与现有的铜散热片一样的形状，功率器件芯片则直接焊接在金属衬底上，以通过该金属衬底替代铜散热片辅助功率器件芯片进行散热。由于无需另外设置铜散热片，因此，可使得半导体电路的整体生产工艺变得简单。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122451133.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
CN216288400U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
冯宇翔
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一（住所申报）
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN202122451133.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L25/18 H02M1/08 H02M7/5387
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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