半导体电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体电路，包括高压集成电路和开关管；高压集成电路包括驱动电路、过流保护电路和故障逻辑控制电路，所述驱动电路连接于所述开关管；所述过流保护电路包括有比较器、编码器、多个开关组件和多路电源电容，所述比较器的正极输入端连接至过流检测信号输入端，各路所述电源电容的正极通过所述开关组件连接至所述比较器的负极输入端，所述编码器具有和各路所述电源电容对应的输出控制端，各路所述输出控制端连接至各个所述开关组件，比较器的输出端连接至所述故障逻辑控制电路；其中，至少两路所述电源电容的电压不同。该半导体电路可以减少因过流保护触发电压阈值单一引起的误关断情况的发生，提高电路运行的稳定性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122949741.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
CN216564501U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
冯宇翔
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建昌
优先权 ：
CN202122949741.2
主分类号 ：
H02H7/12
IPC分类号 ：
H02H7/12 H02H3/08 H02M1/088
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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