半导体电路
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体电路，该半导体电路包括金属基板、功率因数校正模块、第一散热器和第二散热器，所述第一散热器和所述第二散热器设于所述金属基板上，所述功率因数校正模块包括快恢复二极管、续流二极管和IGBT，所述快恢复二极管设于所述第一散热器上，所述续流二极管和所述IGBT设于所述第二散热器上。本实用新型所提出的半导体电路，功率因数校正模块的快速恢复二极管通过第一散热器进行散热，续流二极管和IGBT通过第二散热器进行散热，从而能够及时的将功率因数校正模块所产生的热量排出，避免功率因数校正模块局部升温过快，保证功率因数校正模块的可靠性，延长功率因数校正模块的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122386462.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216288397U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
冯宇翔张土明潘志坚谢荣才左安超
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一（住所申报）
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN202122386462.X
主分类号 ：
H01L23/34
IPC分类号 ：
H01L23/34 H01L23/373 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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