半导体电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体电路，通过第一支撑件上设置有第一电路层，第一电路层的第一安装区用于安装功率元件；连接件的第一端面安装在第一电路层的第二安装区，且连接件与第一电路层电性连接；第二支撑件的第一侧面设置有第二电路层，第二支撑件的第二侧面设置有第四安装区，连接件的与第一端面相对的第二端面安装在第四安装区，且连接件与第二电路层电性连接；第二电路层的第三安装区用于安装非功率元件；多个引脚划分为第一引脚组件和第二引脚组件；密封本体至少包裹第一支撑件的一表面、连接件、第二支撑件，第一引脚组件和第二引脚组件分别从密封本体露出，实现半导体电路的小型化，以及降低了半导体电路的总体成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122640197.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216563126U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
冯宇翔潘志坚谢荣才张土明左安超
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建昌
优先权 ：
CN202122640197.3
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
