半导体装置以及半导体电路
实质审查的生效
摘要
实施方式提供一种可抑制由电流集中引起的破坏的半导体装置以及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：具有第一面和与第一面对置的第二面的半导体层，该半导体层包括设于第一面侧的第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；第一沟槽之中的第一栅极电极；第二沟槽之中的第二栅极电极；第三沟槽之中的第三栅极电极；设于第二面侧的第四栅极电极及第五栅极电极；与第一面相接的第一电极；与第二面相接的第二电极；与第一栅极电极电连接的第一电极焊盘；与第二栅极电极电连接的第二电极焊盘；与第三栅极电极电连接的第三电极焊盘；与第四栅极电极电连接的第四电极焊盘；以及与第五栅极电极电连接的第五电极焊盘。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267731A
申请号 ：
CN202110827985.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-07-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
末代知子岩鍜治阳子系数裕子
申请人 ：
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
徐殿军
优先权 ：
CN202110827985.5
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20210722
申请日 : 20210722
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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