半导体装置以及半导体模块

授权

摘要

本发明的半导体装置及半导体模块，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，作为多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于第一区域与第二区域的边界最近的源极电极，并且沿着边界的全区域而配置。

基本信息

专利标题：

半导体装置以及半导体模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112271178A

申请号：

CN202011145820.1

公开（公告）日：

2021-01-26

申请日：

2017-08-01

授权号：

CN112271178B

授权日：

2022-05-13

发明人：

安田英司今井俊和大河亮介今村武司坂本光章吉田一磨平子正明升元康之曾田茂稔太田朋成

申请人：

松下半导体解决方案株式会社

申请人地址：

日本京都府

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

安香子

优先权：

CN202011145820.1

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088 H01L29/36 H01L29/417 H01L29/45 H01L25/07 H01L25/18 H01L23/488 H01L23/12 H01L23/13 H01L23/31 H01L23/498 H01L23/522 H01L29/78 H01L21/3205 H01L21/768 H01L21/8234 H02J7/00