半导体装置以及半导体模块
公开
摘要
本发明提供在包含元素半导体系的半导体元件和化合物半导体系的半导体元件的高频电路中，能够减少寄生电感的半导体装置。由元素半导体系的半导体元件构成的开关设置于第一部件。设置有包含化合物半导体系的半导体元件的高频电路的第二部件与第一部件接合。开关和高频电路通过路径连接。该路径包含由配置在从第二部件的表面到第一部件的表面的层间绝缘膜上的金属图案构成的部件间连接布线、或者使电流在与第一部件和第二部件接合的界面交叉的方向上流动的导电部件。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628357A
申请号 ：
CN202111516855.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
筒井孝幸斋藤祐一
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
邰琳琳
优先权 ：
CN202111516855.6
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/66 H03F3/19 H03F3/21
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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