半导体模块
授权
摘要
在将半导体芯片与使从该半导体芯片产生的热冷却的冷却部进行电绝缘的基础上，高效地对半导体芯片进行冷却。提供一种半导体模块，具备：半导体芯片；冷却部，内部具有供制冷剂通过的制冷剂通过部；层叠基板，具有比冷却部更靠近半导体芯片的第一金属布线层、比半导体芯片更靠近冷却部的第二金属布线层和设置于第一金属布线层与第二金属布线层之间的绝缘体，冷却部具有：顶板，靠近层叠基板而设置；底板，与顶板对置而设置；多个突起部，设置在底板的与制冷剂通过部接触的面上，在制冷剂的从上游朝向下游的流动方向上相互分开，并在制冷剂通过部的与流动方向正交的宽度方向上各自连续地设置，多个突起部至少设置在与第二金属布线层的在流动方向上的一端重叠的位置和与半导体芯片重叠的位置。
基本信息
专利标题 ：
半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109219880A
申请号 ：
CN201780034425.6
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2017-11-01
授权号 ：
CN109219880B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
北村明夫安达新一郎新井伸英
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
包跃华
优先权 ：
CN201780034425.6
主分类号 ：
H01L23/473
IPC分类号 ：
H01L23/473 H01L25/07 H01L25/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/473
通过流动液体的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/473
申请日 : 20171101
申请日 : 20171101
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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