IGBT芯片及半导体功率模块
授权
摘要
本发明提供了IGBT芯片及半导体功率模块，IGBT芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；在第一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，工作区域的第一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，第三发射极单元与第一发射极单元连接，公共栅极单元与第一发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；在第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接，以使检测电阻上产生电压，并根据电压检测工作区域的工作电流。本申请避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。
基本信息
专利标题 ：
IGBT芯片及半导体功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111273073A
申请号 ：
CN202010248679.1
公开（公告）日 ：
2020-06-12
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN111273073B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
左义忠
申请人 ：
吉林华微电子股份有限公司
申请人地址 ：
吉林省吉林市高新区深圳街99号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202010248679.1
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 H02M1/00 H02M7/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-07-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 19/00
申请日 : 20200331
申请日 : 20200331
2020-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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