功率半导体模块制备方法及功率半导体模块
实质审查的生效
摘要
一种功率半导体模块制备方法，包括塑封功率器件形成功率半导体组件，在所述功率半导体组件表面形成第一散热面。加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料。冷却所述第一散热面的所述第一材料，以连接所述功率半导体组件和所述第一散热器。该功率半导体模块制备方法通过先塑封再焊接的形式制作功率半导体模块，使得功率半导体模块具有更佳的整体性，能够让功率半导体模块具有更强的防水性能，当这种功率半导体模块的第一散热器通过液冷带走热量时，冷却液不易渗透到功率半导体模块的功率半导体组件中，而且可以预先进行密封性能的检测，从而提高可靠性。本申请还提供一种功率半导体模块。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体模块制备方法及功率半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334674A
申请号 ：
CN202110939295.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜若阳吕镇郭朝阳武伟吴炳智
申请人 ：
华为数字能源技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区香蜜湖街道香安社区安托山六路33号安托山总部大厦A座研发39层01号
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
林天成
优先权 ：
CN202110939295.9
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L21/67 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20210816
申请日 : 20210816
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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