高功率模块的制备方法
授权
摘要
一种高功率模块的制备方法，其是以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将银基奈米浆料涂布在散热基板上，而该银基奈米浆料包含含有作为主银粒子且表面具有机酸保护的奈米银粒子和作为副银粒子的微米银粒子的银基金属粒子；对银基奈米浆料进行加温后将IC芯片放置于该银基奈米浆料上方形成一组合对象；最后利用热压机对该组合对象进行热压接合制程，烧结该银基奈米浆料，以形成该IC芯片与该散热基板的热接口材料层。藉此，所得热接口材料在完成热处理后仅含少量有机物，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物产生，且高温下相当稳定，不会产生任何介金属化合物，从而不会有因制程(环境)温度而脆化的问题。
基本信息
专利标题 ：
高功率模块的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111276410A
申请号 ：
CN201811473657.4
公开（公告）日 ：
2020-06-12
申请日 ：
2018-12-04
授权号 ：
CN111276410B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
杨佳明陈引干郭昌恕许联崇陈宏政
申请人 ：
陈引干
申请人地址 ：
中国台湾台南市东区大学路一号
代理机构 ：
长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 ：
何为
优先权 ：
CN201811473657.4
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603 H01L21/48 H01L23/373 H01L23/488 B82Y30/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-07-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/603
申请日 : 20181204
申请日 : 20181204
2020-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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