一种MOSFET功率模块和制备方法
公开
摘要
本发明涉及半导体技术领域中的一种MOSFET功率模块和制备方法，包括隔离部件、第一烧结层、若干MOSFET器件、第二烧结层、第一基板和第二基板，隔离部件的两端面均设置有第一烧结层，且隔离部件通过第一烧结层与MOSFET器件相连，第一基板和第二基板的一端面均设置有金属浆料烧结层，金属浆料烧结层上设置有若干金属基层单元，MOSFET器件与金属基层单元相适配，且MOSFET器件通过第二烧结层与基层单元相连，第一基板与第二基板扣合配合，第一烧结层和第二烧结层均为导电材料，具有质量率高的优点，突破了现有键合线封装方式导致功率模块的功率密度受限的瓶颈。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET功率模块和制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300448A
申请号 ：
CN202111640211.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫海东吴新科张茂盛董泽政李俊业盛况
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设3路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111640211.8
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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