功率半导体模块
授权
摘要
本实用新型实施例提供一种功率半导体模块，包括外壳、组装于所述外壳内部的功率器件以及由金属材料制成并安置于所述外壳底部的散热底板，所述外壳的一侧设置有若干个安装槽，所述功率器件与所述散热底板相贴合，所述安装槽内还组装有内端与所述功率器件电连接而外端用于与外部导电片对接的接线端子，所述散热底板以相应侧的板侧面对接于所述外壳设置有安装槽的一侧侧壁的内壁中部，所述侧壁的底面与散热底板底面之间的侧壁部分构成绝缘隔离部，所述绝缘隔离部具有使外部导电片与散热底板充分电绝缘的预定高度。本实用新型实施例通过设置绝缘隔离，能够有效避免绝缘故障的发生。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020122278.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-19
授权号 ：
CN211350623U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
张杰夫宋贵波邓海明夏文锦
申请人 ：
深圳市立德电控科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙工业城宝龙六路新中桥工业园E栋5楼
代理机构 ：
深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄莉
优先权 ：
CN202020122278.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/48 H01L23/58 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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