悬浮压接功率半导体模块

授权

摘要

本实用新型的名称为悬浮压接功率半导体模块。属于高压功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊接而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：包括模块底板，绝缘导热片，金属A、K电极，上、下钼圆片，功率半导体芯片，门极组件，模块塑料外壳；上钼圆片中心设有安装孔；门极引线组件卡入该安装孔内定位；金属A电极、下钼圆片、功率半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和金属K电极依次为压接接触。本实用新型具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足客户对模块产品提出的高电压、大电流要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。

基本信息

专利标题：

悬浮压接功率半导体模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922036828.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-22

授权号：

CN211788998U

授权日：

2020-10-27

发明人：

杨成标董明刘婧刘鹏肖彦李新安段彬彬朱玉德

申请人：

湖北台基半导体股份有限公司

申请人地址：

湖北省襄阳市襄城区胜利街162号

代理机构：

襄阳嘉琛知识产权事务所

代理人：

严崇姚

优先权：

CN201922036828.3

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L23/31 H01L23/367