半导体功率单元及半导体功率模块

授权

摘要

本实用新型涉及电力电子技术领域，公开了半导体功率单元及半导体功率模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于电路铜层上的半导体功率电子元件，半导体功率电子元件包括半导体功率芯片、电极探针及若干控制极电阻，电路铜层包括用于连接半导体功率芯片的半导体功率芯片导电区、用于连接电极探针的电极探针导电区及用于连接控制极电阻的控制极电阻导电区，控制极电阻一字排开设置于控制极电阻导电区上，控制极电阻导电区的连接端位于靠近中间位置的控制极电阻。通过将控制极电阻导电区的连接端设置于位于靠近中间位置的控制极电阻的位置处，使驱动电流从连接端分别向两侧方向传输，从而降低了驱动电流的不均衡性。

基本信息

专利标题：

半导体功率单元及半导体功率模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021962479.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-09

授权号：

CN212810296U

授权日：

2021-03-26

发明人：

陆熙

申请人：

忱芯科技（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层

代理机构：

北京维正专利代理有限公司

代理人：

谢绪宁

优先权：

CN202021962479.4

主分类号：

H01L23/62

IPC分类号：

H01L23/62 H01L25/16 H01L23/48 H01L23/498