电子功率单元和半导体功率模块
公开
摘要
半导体功率模块，其具有电子功率单元，其具有基底，其具有垂直方向且具有平坦的绝缘模制体，其在第一主面上具有金属层且在其第二主面上具有多个导体轨道，且电子功率单元具有第一紧固装置或第二紧固装置，基底以力配合或材料结合的方式布置在电子功率单元基底上，第一紧固装置实施和设置成将基底以力配合的方式布置在冷却装置上，或者壳体部段具有第二紧固装置，其实施和设置成将基底以力配合的方式布置在冷却装置上，金属层的边缘相对于绝缘模制体的边缘向后偏移，在与第一紧固装置或第二紧固装置相邻的区域中，金属层的边缘的第一边缘部段与分别邻接的金属层的边缘的第二边缘部段和第三边缘部段相比进一步向后偏移。
基本信息
专利标题 ：
电子功率单元和半导体功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334892A
申请号 ：
CN202111121226.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·霍夫W·奥伯迈尔V·卡迪M·G·墨索里诺M·桑托罗
申请人 ：
赛米控电子股份有限公司
申请人地址 ：
德国纽伦堡
代理机构 ：
重庆智鹰律师事务所
代理人 ：
唐超尘
优先权 ：
CN202111121226.3
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
