半导体芯片
专利权的终止
摘要
半导体芯片(100)包括：未示出的半导体衬底；以及形成在半导体衬底上的层叠膜(150)，其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此，无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835225A
申请号 ：
CN200610071402.6
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大音光市宇佐美达矢
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200610071402.6
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/314 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2015-05-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101609138764
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2006100714026
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20140320
号牌文件序号 : 101609138764
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2006100714026
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20140320
2010-12-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101055189982
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2006100714026
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101055189982
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2006100714026
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2009-10-14 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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