半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法，在半导体器件的制造工艺中，电镀和CMP已经导致增加用于形成布线的制造成本的一种问题。相应地，在其上形成掩模之后，在多孔绝缘膜中形成开口，并将含有Ag的导电材料注入开口内。进一步地，通过选择性激光照射烘焙注入开口内的导电材料，形成第一导电层。随后，通过溅射，在整个表面之上形成金属膜，此后去除掩模，以便在第一导电层之上仅仅保留金属膜，由此形成由含有Ag的第一导电层和第二导电层(金属膜)的叠层形成的嵌入布线层。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1783480A

申请号：

CN200510129046.4

公开（公告）日：

2006-06-07

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

伊佐敏行山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

岳耀锋

优先权：

CN200510129046.4

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768