半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：层间电介质(ILD)层，形成于半导体衬底上；接触塞，形成于ILD层中，从而接触塞的预定部分在ILD层上方突出；蚀刻停止层，形成于ILD层上，暴露接触塞的顶部；以及电容器的底电极，部分地形成于蚀刻停止层中以通过蚀刻停止层和接触塞而与ILD层隔离以防止与ILD层的直接接触，以及以与接触塞部分地接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1921114A
申请号 ：
CN200510097525.2
公开（公告）日 ：
2007-02-28
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔亨福
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097525.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/522 H01L21/82 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2015-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599918898
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005100975252
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20131230
号牌文件序号 : 101599918898
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005100975252
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20131230
2009-08-05 ：
授权
2007-04-25 ：
实质审查的生效
2007-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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