半导体器件及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明的目的是要改善薄膜晶体管的栅极/引线与薄膜半导体区域(有源层)之间的绝缘可靠性，以及改善晶体管的特性。通过将具有与杂质区(源和漏区)的导电类型相反的导电类型的杂质引入薄膜半导体区域的边缘部分，尤其是此边缘部分的横置于栅极之下的部分，降低了源和漏极之间的电流泄漏。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1098227A
申请号 ：
CN94104088.7
公开（公告）日 ：
1995-02-01
申请日 ：
1994-03-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹村保彦须泽英臣
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN94104088.7
主分类号 ：
H01L29/784
IPC分类号 ：
H01L29/784 H01L21/335 H01L27/02
法律状态
1997-09-17 ：
专利申请的视为撤回
1995-02-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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