半导体器件及其制造方法
被视为撤回的申请
摘要
本发明的多层布线半导体器件，是在下层金属布线层的侧面形成绝缘材料构成的侧墙，利用该侧墙表面的斜坡形状得以使下层金属布线层侧面的台阶突变趋于缓和，由此结构可以防止上层金属布线层的断裂及蚀刻不干净，防止下层金属布线层出现异常析出小丘，从而获得高可靠性的多层布线构造。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86103174A
申请号 ：
CN86103174
公开（公告）日 ：
1986-11-19
申请日 ：
1986-05-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小池淳义目黑怜池田修二竹田敏文
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN86103174
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/72 H01L29/76 H01L21/02 H01L21/70 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
1990-10-17 ：
被视为撤回的申请
1989-07-26 ：
实质审查请求
1986-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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