半导体器件及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及半导体器件及其制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在半导体衬底SUB上形成层间绝缘膜和通过层间绝缘膜彼此分离的导电层对。在这种情况下，该导电层对的每个上表面的位置与层间绝缘膜的上表面的位置不同，并且在该导电层对的每个上表面与层间绝缘膜的上表面之间形成有绝缘膜。绝缘膜具有相对于该导电层对和层间绝缘膜的每个上表面倾斜的倾斜表面。电阻元件连接到该导电层对中的每个导电层，并且沿着倾斜表面形成以便覆盖绝缘膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388473A
申请号 ：
CN202111203067.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
满生彰
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吕世磊
优先权 ：
CN202111203067.1
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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