半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种半导体器件，包括：不发生因尖楔现象和金属布线所含有的析出物而导致劣化的绝缘膜，和功函数高的栅电极。本发明还提供一种可通过较少的光刻胶图形掩模的形成步骤来制造的该半导体器件的制造方法。在栅氧化膜(16)上形成多晶硅膜(17)。在栅氧化膜(16)和多晶硅膜(17)的层积体上形成源/漏区接触孔。此后，在该多晶硅膜(17)上以及源/漏区接触孔内形成金属膜(18)，从而形成由该多晶硅膜(17)和金属膜(18)构成的层积体。然后，使该层积体形成图形，分别同时形成由该多晶硅层和金属层的层积构造体所构成的栅电极和源/漏区接触布线层。另外，沟道截断环与高浓度扩散区同时形成以替代场氧化膜的形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832127A
申请号 ：
CN200510118788.7
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木村伟作夫
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200510118788.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/28 H01L21/336 H01L23/522 H01L23/485 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2012-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101165536776
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101187887
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20101031
号牌文件序号 : 101165536776
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101187887
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20101031
2009-05-20 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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