半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779960A

申请号：

CN200510118098.1

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

龟山工次郎铃木彰梅本光雄

申请人：

三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200510118098.1

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L23/522 H01L21/28 H01L21/768