半导体制造装置以及半导体装置的制造方法
公开
摘要
提供在包含SiO2而构成的膜的蚀刻中使处理的成品率提升的蚀刻装置或蚀刻方法。作为其手段而使用半导体制造装置，其具有：导入口，其对处理容器内部的处理室导入包含氟化氢以及醇各自的蒸汽的处理用的气体；样品台，其配置于所述处理室，在其上表面装载处理对象的晶片；和电极，其配置于所述样品台的内部，在对形成于所述晶片的所述上表面的第1膜进行蚀刻处理时，被施加在通过所述处理用的气体而形成于所述晶片的所述上表面上的第1层形成电场的直流电力。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616659A
申请号 ：
CN202080010282.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田将贵
申请人 ：
株式会社日立高新技术
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴秋明
优先权 ：
CN202080010282.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/311 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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