半导体制造装置及制造方法
授权
摘要
本发明提供既可维持半导体芯片对于被搭载体的被粘接面的搭载精度,又可缩短芯片贴装所消耗的时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体制造装置包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于拾取所述多个半导体芯片的各个;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,所述拾取部利用所述控制部将所述半导体芯片从所述工作台移动至支承基板上的安装位置而粘结。
基本信息
专利标题 :
半导体制造装置及制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107424942A
申请号 :
CN201710362993.0
公开(公告)日 :
2017-12-01
申请日 :
2017-05-22
授权号 :
CN107424942B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
甲斐稔
申请人 :
株式会社吉帝伟士
申请人地址 :
日本大分县
代理机构 :
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郭放
优先权 :
CN201710362993.0
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 :
授权
2020-09-25 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/67
变更事项 : 申请人
变更前 : 株式会社吉帝伟士
变更后 : 安靠科技日本公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大分县
变更后 : 日本大分县
变更事项 : 申请人
变更前 : 株式会社吉帝伟士
变更后 : 安靠科技日本公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大分县
变更后 : 日本大分县
2019-03-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170522
申请日 : 20170522
2017-12-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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