制造半导体芯片凸块的方法
专利权的终止
摘要
通过多次光刻工艺，为形成光致抗蚀剂图形，各自的光致抗蚀剂溶液选用正性和／或者负性的溶液，采用限定凸块形成区域的适当图形掩模，通过曝光形成光致抗蚀剂图形，由此，在半导体芯片的金属阻挡层上形成凸块。由于制造的凸块上部与其下部相等或者小于下部，在ＴＡＢ封装内引线焊接期间，各凸块互相不会接触，即使由于产生的压力使凸块上部伸延也不会互相接触。采用多次光刻工艺，形成限定凸块区域的光致抗蚀剂图形，结果使凸块具有大的高宽比率。$#!
基本信息
专利标题 ：
制造半导体芯片凸块的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094850A
申请号 ：
CN94102787.2
公开（公告）日 ：
1994-11-09
申请日 ：
1994-02-08
授权号 ：
CN1061470C
授权日 ：
2001-01-31
发明人 ：
朴春根
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN94102787.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/482 H01L23/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2014-03-19 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101580931459
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL941027872
申请日 : 19940208
授权公告日 : 20010131
期满终止日期 : 20140208
号牌文件序号 : 101580931459
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL941027872
申请日 : 19940208
授权公告日 : 20010131
期满终止日期 : 20140208
2001-01-31 ：
授权
1996-05-22 ：
实质审查请求的生效
1994-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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