本发明公开了一种芯片金属凸块的成型方法，包括如下步骤：提供硅基板，所述硅基板的上表面形成有焊盘和钝化层；在钝化层的上表面及焊盘的上表面覆盖第一种子层；在第一种子层的上表面依次成型若干层叠放的光阻层，并在每层光阻层上都去除有部分光阻层以形成窗格；其中，上下相邻的两个窗格中位于上侧的窗格的尺寸大于位于下侧的窗格的尺寸且位于上侧的窗格对下侧的窗格形成覆盖；在最下侧的窗格内第一种子层的上表面成型第一电镀层，在第一电镀层之上成型金属凸块，最后采用回流工艺将金属凸块成型为金属球。本发明通过现有的电镀制程条件，克服光阻能力的限制，提高电镀锡量电镀成球，改善了成球质量降低了成本。