焊锡凸块的修正方法

授权

摘要

在硅晶片上形成的图案是微细的，所形成的焊锡凸块也是微细的，因此，当问题产生时不能进行修正，连工件的硅晶片都被废弃。作为修正方法，在形成于硅晶片上的焊锡凸块上，在将穿孔成与上述焊锡凸块相同图案的掩模覆盖到焊锡凸块上之后，从上述掩模上接触熔融焊锡，将熔融焊锡填充到上述掩模的穿孔部中。

基本信息

专利标题：

焊锡凸块的修正方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108713246A

申请号：

CN201680081870.3

公开（公告）日：

2018-10-26

申请日：

2016-12-15

授权号：

CN108713246B

授权日：

2022-04-29

发明人：

中村秀树

申请人：

千住金属工业株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳

优先权：

CN201680081870.3

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60 H05K3/34

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

H01L21/60

引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流

法律状态

2022-04-29 ：

授权

2018-11-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20161215

2018-10-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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