导电凸块测试装置与测试方法
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摘要
本发明是关于一种导电凸块测试装置与测试方法，所述导电凸块测试装置，适用于测试多个导电凸块，包括：一支撑基板；以及分别设置于该支撑基板内的一第一探针、一第二探针以及多个双探针组，其中各双探针组包括两电性连结的第三探针。本发明所述的导电凸块测试装置与测试方法，可于凸块形成后立即应用，以便即时检验所形成的凸块品质以及所应用的凸块制程。
基本信息
专利标题 ：
导电凸块测试装置与测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779935A
申请号 ：
CN200510117350.7
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭彦良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510117350.7
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G01R31/26
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2007-12-26 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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