晶圆级封装的凸块制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种晶圆级封装的凸块制造方法,其包括如下步骤:提供晶圆,晶圆上具有多个焊垫和露出焊垫的保护层,其中焊垫之间的保护层可包含切割道以供封装制程完成后分割芯片使用;在晶圆上形成导电层,该导电层与焊垫电性连接并填入切割道;在导电层上形成光阻层:图案化光阻层以在焊垫上方形成露出导电层的开口,并于焊垫以外的区域形成未露出导电层的开口;以及在焊垫上方的开口中形成凸块以连接导电层。因为在焊垫以外的区域形成未全开的开口,使得后续两侧开口填充焊料形成凸块时所产生的应力拥有了舒解的空间,故可避免晶圆受力挠曲甚而破损,因此可达到提高芯片封装制程的可靠性进而提高良率的功效。
基本信息
专利标题 :
晶圆级封装的凸块制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101026107A
申请号 :
CN200610055028.0
公开(公告)日 :
2007-08-29
申请日 :
2006-02-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蔡骐隆
申请人 :
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 :
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 :
罗习群
优先权 :
CN200610055028.0
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2011-01-12 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101061479659
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利申请号 : 2006100550280
公开日 : 20070829
号牌文件序号 : 101061479659
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利申请号 : 2006100550280
公开日 : 20070829
2007-10-24 :
实质审查的生效
2007-08-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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