本发明涉及嵌入式扇出型晶圆级芯片封装技术领域，特别涉及了一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构，所述方法包括提供衬底晶圆；在衬底晶圆的第一表面上形成第一厚胶层，采用曝光显影工艺在第一厚胶层内形成凹槽；提供芯片，将芯片键合于凹槽内；芯片形成有焊盘的正面远离凹槽的底部；芯片的厚度大于凹槽的厚度；至少在第一厚胶层远离衬底晶圆的表面形成第二厚胶层，第二厚胶层覆盖芯片；在第二厚胶层上形成有第一开口，第一开口暴露出焊盘；在第二厚胶层远离第一厚胶层的表面形成重布线层，重布线层与焊盘相接触。在整个制备工艺中使用的是全厚度晶圆，可以保证芯片封装过程中晶圆的翘曲度保持在较小的范围内，以达到减小晶圆翘曲的目的。