一种双面扇出型晶圆级封装方法及封装结构
授权
摘要
本发明提供一种双面扇出型晶圆级封装方法及封装结构，其中，封装方法至少包括如下步骤：提供一载体，于所述载体上形成至少两个第一焊盘；于所述载体的上表面形成覆盖所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；于所述重新布线层的上表面附着第一裸片和第二裸片；于所述重新布线层的上表面形成包裹所述第一裸片和所述第二裸片的具有至少两个通孔的第一塑封层；于所述第一塑封层上形成电极凸块和钝化层；去除所述载体，以暴露所述第一焊盘的下表面；于所述第一焊盘的下表面附着第三裸片；于所述重新布线层的下表面形成包裹所述第三裸片的第二塑封层；于所述电极凸块上形成焊料球。本发明可以应用于不断增加厚度的塑封层中，对封装裸片的厚度无限制。
基本信息
专利标题 ：
一种双面扇出型晶圆级封装方法及封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106684006A
申请号 ：
CN201710025374.2
公开（公告）日 ：
2017-05-17
申请日 ：
2017-01-13
授权号 ：
CN106684006B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
仇月东林正忠何志宏
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所
代理人 ：
姚艳
优先权 ：
CN201710025374.2
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/60 H01L23/31 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-06-25 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/56
变更事项 : 申请人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 申请人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2017-06-09 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101726056923
IPC(主分类) : H01L 21/56
专利申请号 : 2017100253742
申请日 : 20170113
号牌文件序号 : 101726056923
IPC(主分类) : H01L 21/56
专利申请号 : 2017100253742
申请日 : 20170113
2017-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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