晶圆级芯片封装结构

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摘要

本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：待封装芯片；贴片膜，位于待封装芯片的所述第一表面，所述第一表面与所述贴片膜相接触；导电柱，形成于待封装芯片的第二表面；封装层，封装层及贴片膜将待封装芯片包覆；重新布线层与所述导电柱电连接；金属凸块，通过重新布线层及导电柱实现待封装芯片的电性引出。本实用新型采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用锡膏印刷或者植球的方式形成金属凸块，减少制程的复杂性。

基本信息

专利标题：

晶圆级芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921656447.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-30

授权号：

CN211045375U

授权日：

2020-07-17

发明人：

徐罕陈彦亨吴政达林正忠薛亚媛

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

佟婷婷

优先权：

CN201921656447.9

主分类号：

H01L21/56

IPC分类号：

H01L21/56 H01L23/31 H01L23/485 H01L21/60