芯片封装结构与其晶圆级封装形成方法
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摘要
本发明提供一种晶圆级封装的方法与芯片封装结构。首先于一透明基板上形成突出的导电连接结构，于一半导体晶圆上形成凹陷并填入黏着层于其中。然后接合基板与晶圆，其中每一导电连接结构被容置于每一凹陷中并被暴露于半导体晶圆的另一面，切割后成为芯片封装结构。该封装结构可利用导电连接结构将电信号从芯片主动面传送至芯片背面。
基本信息
专利标题 ：
芯片封装结构与其晶圆级封装形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996581A
申请号 ：
CN200610002589.4
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨国宾萧伟民
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
上海开祺知识产权代理有限公司
代理人 ：
费开逵
优先权 ：
CN200610002589.4
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2008-08-20 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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