红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，该结构包括：具有焊垫的红外热电堆芯片；透红外光的第一基底，红外热电堆芯片粘合于第一基底的凹槽中；与第一基底键合的透红外光的第二基底；贯穿第二基底的金属连接柱，并与焊垫连接；形成于第二基底上的重新布线层，与金属连接柱电连接，且重新布线层具有开口区，开口区正对红外热电堆芯片的感光区；形成于重新布线层上的金属凸块。通过将多个红外热电堆芯片同时粘合于同一基底然后封装形成为扇出型晶圆级封装，大大减小了封装尺寸，节约封装成本；另外，第一基底及第二基底均采用可透红外光的材料，可实现封装体的双面透光，提高封装体的应用范围以及应用灵活性。
基本信息
专利标题 ：
红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334841A
申请号 ：
CN202011059854.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
荆二荣徐德辉
申请人 ：
上海烨映微电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J310室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN202011059854.9
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/498 H01L21/48 H01L21/56 H01L35/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/04
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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