一种多芯片晶圆级扇出封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种多芯片晶圆级扇出封装结构，包括：转接结构、电连接在所述转接结构第一表面和第二表面上的芯片、电连接在所述转接结构第二表面上的电联接件、包覆所述第一表面上芯片的第一包封层以及包覆所述第二表面上芯片的第二包封层；所述电联接件包括位于所述的第二包封层中的陷入部和凸出于所述第二包封层的凸起部，所述陷入部包括与所述转接结构电联接的第一金属导电层以及位于所述第一金属导电层上的球台金属部。本实用新型通过制作由第一金属导电层和球台金属部组成的导电互联结构作为对外的电联接件的陷入部，其制程工艺简单，成本低廉，还降低了与外界电路联接的传输阻抗，有利于芯片散热。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片晶圆级扇出封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123438310.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216413054U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
李宗怿罗富铭郭良奎潘波
申请人 ：
长电集成电路（绍兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市临江路500号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁欣
优先权 ：
CN202123438310.6
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/488 H01L23/367 H01L25/18 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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